Кремниевые диоды с барьером Шоттки изготавливаются по эпитаксиально-планарной технологии. Отличаются малым падением напряжения и высоким быстродействием. Применяются в импульсных источниках питания, конвертерах, преобразователях, схемах защиты. Заряд обратного восстановления у приборов отсутствует. Выполняются диоды в корпусе КТ-28-1 (ТО-220АС). Зарубежные аналоги:
- MBR10100 — КД2970А
- MBR1060 — КД2970Б
- MBR1045 — КД2970В
Внешний вид и цоколевка диодов Шоттки КД2970А … В
Основные электрические параметры диодов КД2970А … В
|
Параметр
|
КД2970А
|
КД2970Б
|
КД2970В
|
| Предельно допустимое обратное напряжение, В | 100 | 60 | 45 |
| Средний прямой ток, А |
10
|
||
| Импульсный повторяющийся ток, А |
20
|
||
| Импульсный неповторяющися ток выброса длительностью 8.3 мс, А |
150
|
||
| Скорость изменения напряжения, В/мкс |
1 000
|
||
| Емкость перехода, пФ |
900
|
||
| Тепловое сопротивление переход-корпус, °С/Вт |
2.0
|
||
| Постоянное прямое напряжение (падение), В | 0.85 | 0.68 | 0.63 |