.
Основная особенность диодов с барьером Шоттки – практически полное отсутствие времени обратного восстановления. Обусловлено это свойствами перехода металл-полупроводник и отсутствием p-n перехода. Это позволяет использовать этот тип диодов на относительно высоких (до сотен килогерц) частотах. Максимальная рабочая частота диодов с барьером Шоттки ограничена лишь паразитной емкостью перехода.
Еще одно отличие диодов такого типа от обычных – вдвое, иногда втрое меньшее падение прямого напряжения (0.3 … 0.5 против 0.7 … 1.0), что уменьшает рассеиваемую на диоде мощность и позволяет использовать прибор при больших токах без специальных мер по отводу тепла. Вышесказанное хорошо иллюстрирует график, приведенный ниже. Две верхние ветви принадлежат обычным диодам, две нижние – диодам с барьером Шоттки.
Зависимость падения напряжения на приборе от тока через него для обычных диодов и диодов с барьером Шоттки
Единственным, пожалуй, недостатком приборов Шоттки является их относительная «низковольтность» — обычно не более 20 … 40 В, хотя некоторые типы могут выдерживать напряжение до 100 В, но они имеют достаточно высокую стоимость. В принципе при высоких напряжениях применение диодов Шоттки чаще неоправданно, поскольку в таких случаях потери на p-n переходах обычных диодов не превышают 1%.
При использовании диодов стоит учитывать, что во время нагрева величина падения напряжения на кристалле падает (это хорошо), но существенно (до 50%) уменьшается максимально допустимое обратное напряжение, что очень опасно. Таким образом, при использовании диодов в тяжелых тепловых режимах, необходимо предусмотреть значительный запас по этому параметру. Применяются диоды с барьером Шоттки в выпрямителях переменного тока, работающих на частотах 0 … сотни килогерц и в качестве защиты от переполюсовки.
Основные электрические характеристики диодов Шоттки 1N5817 – 1N5822
|
1N5817
|
1N5817
|
1N5817
|
1N5817
|
1N5817
|
1N5817
|
|
| Максимально допустимое обратное напряжение, В | 20 | 30 | 40 | 20 | 30 | 40 |
| Максимально допустимый прямой ток, А | 1 | 1 | 1 | 3 | 3 | 3 |
| Максимально допустимый импульсный ток, А | 25 | 25 | 25 | 75 | 75 | 75 |
| Падение напряжения на диоде, В | 0.45 | 0.55 | 0.60 | 0.45 | 0.55 | 0.60 |
| Емкость диода, пФ (4 В, 1 мГц) | 110 | 110 | 110 | 250 | 250 | 250 |
.