Мощные выпрямительные диоды с барьером Шоттки 1N5817 – 1N5822

.

Основная особенность диодов с барьером Шоттки – практически полное отсутствие времени обратного восстановления. Обусловлено это свойствами перехода металл-полупроводник и отсутствием p-n перехода. Это позволяет использовать этот тип диодов на относительно высоких (до сотен килогерц) частотах. Максимальная рабочая частота диодов с барьером Шоттки ограничена лишь паразитной емкостью перехода.

Еще одно отличие диодов такого типа от обычных – вдвое, иногда втрое меньшее падение прямого напряжения (0.3 … 0.5 против 0.7 … 1.0), что  уменьшает рассеиваемую на диоде мощность и позволяет использовать прибор при больших токах без специальных мер по отводу тепла. Вышесказанное хорошо иллюстрирует график, приведенный ниже. Две верхние ветви принадлежат обычным диодам, две нижние – диодам с барьером Шоттки.

Зависимость падения напряжения на приборе  от тока через него для обычных диодов и диодов с барьером Шоттки

Зависимость падения напряжения на приборе  от тока через него для обычных диодов и диодов с барьером Шоттки

Единственным, пожалуй, недостатком приборов Шоттки является их относительная «низковольтность» — обычно не более 20 … 40 В, хотя некоторые типы могут выдерживать напряжение до 100 В, но они имеют достаточно высокую стоимость.  В принципе при высоких напряжениях применение диодов Шоттки чаще неоправданно, поскольку в таких случаях  потери на p-n переходах обычных диодов не превышают 1%.

При использовании диодов стоит учитывать, что во время нагрева величина  падения напряжения на кристалле падает (это хорошо), но существенно (до 50%) уменьшается максимально допустимое обратное напряжение, что очень опасно. Таким образом, при использовании диодов в тяжелых тепловых режимах, необходимо предусмотреть значительный запас по этому параметру.  Применяются диоды с барьером Шоттки в выпрямителях переменного тока, работающих на частотах 0 … сотни килогерц и в качестве защиты от переполюсовки.

Основные электрические характеристики диодов Шоттки 1N5817 – 1N5822

1N5817
1N5817
1N5817
1N5817
1N5817
1N5817
Максимально допустимое обратное напряжение, В 20 30 40 20 30 40
Максимально допустимый прямой ток, А 1 1 1 3 3 3
Максимально допустимый импульсный ток, А 25 25 25 75 75 75
Падение напряжения на диоде, В 0.45 0.55 0.60 0.45 0.55 0.60
Емкость диода, пФ (4 В, 1 мГц) 110 110 110 250 250 250

.

При копировании материалов ссылка на сайт обязательна.
Все права защищены. Электрические схемы © 2012-2017