Однопереходные транзисторы КТ117

Кремниевые планарные однопереходные транзисторы серии К117 (их называют еще двухбазовыми диодами) представляют собой электронные переключатели малой мощности.

Основные электрические характеристики однопереходных (двухбазовых) транзисторов с n-базой малой мощности КТ117

тип
Iэ max, мА
Uб1б2 max, В
Uб2э max, В
Р mах, мВт
Rб1б2, кОм
ƞ
f max, кГц
КТ117А 50 30 30 300 4…9 0.5…0.7 200
КТ117Б 50 30 30 300 4…9 0.65…0.9 200
КТ117В 50 30 30 300 8…12 0.5…0.7 200
КТ117Г 50 30 30 300 8…12 0.65…0.9 200

В таблице приняты следующие обозначения:

Iэ max — максимальный ток эмиттера, мА;
Uб1б2 max — напряжение между базами I и 2, В;
Uб2э max — напряжение между базой 2 и эмиттером, В;
Р mах — максимальная мощность рассеяния, мВт;
Rб1б2 — межбазовое сопротивление, кОм;
f max — максимальная рабочая частота, кГц;
ƞ — коэффициент передачи — отношение напряжения включения к напряжению между базами.

Условное обозначение однопереходного транзистора на принципиальной схеме

Условное обозначение однопереходного транзистора на принципиальной схеме

Внешний вид и цоколевка транзисторов КТ117

Внешний вид и цоколевка транзисторов КТ117

.

При копировании материалов ссылка на сайт обязательна.
Все права защищены. Электрические схемы © 2012-2017