Кремниевые планарные однопереходные транзисторы серии К117 (их называют еще двухбазовыми диодами) представляют собой электронные переключатели малой мощности.
Основные электрические характеристики однопереходных (двухбазовых) транзисторов с n-базой малой мощности КТ117
|
тип
|
Iэ max, мА
|
Uб1б2 max, В
|
Uб2э max, В
|
Р mах, мВт
|
Rб1б2, кОм
|
ƞ
|
f max, кГц
|
| КТ117А | 50 | 30 | 30 | 300 | 4…9 | 0.5…0.7 | 200 |
| КТ117Б | 50 | 30 | 30 | 300 | 4…9 | 0.65…0.9 | 200 |
| КТ117В | 50 | 30 | 30 | 300 | 8…12 | 0.5…0.7 | 200 |
| КТ117Г | 50 | 30 | 30 | 300 | 8…12 | 0.65…0.9 | 200 |
В таблице приняты следующие обозначения:
Iэ max — максимальный ток эмиттера, мА;
Uб1б2 max — напряжение между базами I и 2, В;
Uб2э max — напряжение между базой 2 и эмиттером, В;
Р mах — максимальная мощность рассеяния, мВт;
Rб1б2 — межбазовое сопротивление, кОм;
f max — максимальная рабочая частота, кГц;
ƞ — коэффициент передачи — отношение напряжения включения к напряжению между базами.
Условное обозначение однопереходного транзистора на принципиальной схеме
Внешний вид и цоколевка транзисторов КТ117
.