Кремниевые транзисторы проводимости p-n-p средней и большой мощности

Основные электрические характеристики кремниевых транзисторов p-n-p средней мощности низкой частоты

Тип
Iк max, мА
Uкэ max, В
Pк max, мВт
h21э
fгр, МГц
КТ502А 150 25 350 40…120 5
КТ502Б 150 25 350 80…240 5
КТ502В 150 40 350 40…120 5
КТ502Г 150 40 350 80…240 5
КТ502Д 150 60 350 40…120 5
КТ502Е 150 60 350 40…120 5

Основные электрические характеристики кремниевых транзисторов p-n-p большой мощности низкой частоты

Тип
Iк max, А
Uкэ max, В
Pк max, Вт
h21э
fгр, МГц
КТ814А 1.5 25 10 40 3
КТ814Б 1.5 40 10 40 3
КТ814В 1.5 60 10 40 3
КТ814Г 1.5 80 10 30 3
КТ816А 3 25 25 25 3
КТ816Б 3 45 25 25 3
КТ816В 3 60 25 25 3
КТ816Г 3 80 25 25 3
KT818A 10 25 60 15 3
КТ818Б 10 40 60 20 3
КТ818В 10 60 60 15 3
КТ818Г 10 80 60 12 3

.

При копировании материалов ссылка на сайт обязательна.
Все права защищены. Электрические схемы © 2012-2017