Основные электрические характеристики кремниевых транзисторов p-n-p средней мощности низкой частоты
Тип
|
Iк max, мА
|
Uкэ max, В
|
Pк max, мВт
|
h21э
|
fгр, МГц
|
КТ502А | 150 | 25 | 350 | 40…120 | 5 |
КТ502Б | 150 | 25 | 350 | 80…240 | 5 |
КТ502В | 150 | 40 | 350 | 40…120 | 5 |
КТ502Г | 150 | 40 | 350 | 80…240 | 5 |
КТ502Д | 150 | 60 | 350 | 40…120 | 5 |
КТ502Е | 150 | 60 | 350 | 40…120 | 5 |
Основные электрические характеристики кремниевых транзисторов p-n-p большой мощности низкой частоты
Тип
|
Iк max, А
|
Uкэ max, В
|
Pк max, Вт
|
h21э
|
fгр, МГц
|
КТ814А | 1.5 | 25 | 10 | 40 | 3 |
КТ814Б | 1.5 | 40 | 10 | 40 | 3 |
КТ814В | 1.5 | 60 | 10 | 40 | 3 |
КТ814Г | 1.5 | 80 | 10 | 30 | 3 |
КТ816А | 3 | 25 | 25 | 25 | 3 |
КТ816Б | 3 | 45 | 25 | 25 | 3 |
КТ816В | 3 | 60 | 25 | 25 | 3 |
КТ816Г | 3 | 80 | 25 | 25 | 3 |
KT818A | 10 | 25 | 60 | 15 | 3 |
КТ818Б | 10 | 40 | 60 | 20 | 3 |
КТ818В | 10 | 60 | 60 | 15 | 3 |
КТ818Г | 10 | 80 | 60 | 12 | 3 |
.