Зарядка мобильного телефона в дороге

Кто из нас не сталкивался с проблемой потери связи в дороге, когда просто некуда воткнуть зарядное устройство телефона. Выйти из положения поможет зарядное устройство, схема которого представлена на Рис.1. Для его работы потребуются любые два гальванических элемента, которые можно купить практически в первом попавшемся ларьке или даже взять с собой. Зарядка мобильного телефона в дороге

От емкости элементов, конечно, будет зависеть, насколько зарядится ваш аккумулятор, но практика показала, что даже самые недорогие АА элементы позволяют зарядить аккумулятор телефона настолько, чтобы он успешно включится и выдержал несколько достаточно продолжительных разговоров. Интересно то, что работать устройство будет даже от одного элемента, но это должна быть щелочная (alkaline) «батарейка» достаточно приличной емкости.

Зарядное устройство собрано на микросхеме  МАХ756, которая обеспечивает максимальный выходной ток в 200 мА при напряжении 4.9…5 В, что более чем достаточно для зарядки большинства мобильных телефонов. Работоспособность устройства сохраняется при питающем напряжении в диапазоне 0.7…7В. Поскольку преобразователь импульсный, то низкую емкость батарей можно победить их количеством – запитать устройство, скажем, от четырех элементов, включив их последовательно, увеличив количество их общей энергии вдвое и «высосать» каждый элемент практически «до дна».

Особых пояснений схема не требует, микросхема МАХ756 работает в стандартном включении, единственно, пару слов стоит сказать о назначении резисторов R1, R2 и индикаторного светодиода HL1. Резисторы образуют делитель, через который питается внутренний узел DA1, отвечающий за контроль питания. При указанных на схеме номиналах R1 и R2 узел сработает при напряжении питания 2 В   и включит индикатор HL1. Этот узел собран для предотвращения глубокого разряда аккумуляторов, если вы решите в качестве элементов питания использовать их. Резисторы R4 и R5 – токоограничительные и их, возможно, придется подобрать для конкретной модели телефона так, чтобы зарядный ток не превышал максимально допустимый для микросхемы (200 мА).

В конструкции можно использовать резисторы МЛТ, конденсаторы С1 и С3 лучше взять танталовые, С2 – керамический. Вместо 1N5817 (диод Шотки, VD1) подойдет 1N5817, 1N5818. Светодиод любой с минимальным током свечения, но, конечно, под него придется подобрать номинал токоограничивающего резистора R3. Дроссель L1 имеет индуктивность 40-90 мкГн и выдерживает импульсный ток до 1.2 А.  Для его самостоятельного изготовления понадобится ферритовое кольцо типоразмера К10х4х5, которое нужно разломить пополам, а затем вновь склеить, проложив в зазоры прокладки из бумаги толщиной 0.5 мм. На доработанное кольцо наматывается провод диаметром 0.25…0.31 в один слой виток к витку до заполнения.

При копировании материалов ссылка на сайт обязательна.
Все права защищены. Электрические схемы © 2012-2016