Основные электрические характеристики кремниевых транзисторов n-p-n средней мощности
Тип
|
Iк max, мА
|
Uкэ max, В
|
Pк max, мВт
|
h21э
|
fгр, МГц
|
КТ503А | 150 | 25 | 350 | 40…120 | 5 |
КТ503Б | 150 | 25 | 350 | 80…240 | 5 |
КТ503В | 150 | 40 | 350 | 40…120 | 5 |
КТ503Г | 150 | 40 | 350 | 80…240 | 5 |
КТ503Д | 150 | 60 | 350 | 40…120 | 5 |
КТ503Е | 150 | 80 | 350 | 40…120 | 5 |
КТ646А | 1000 | 50 | 1000 | 40…200 | 200 |
КТ646Б | 1000 | 40 | 1000 | 150…200 | 200 |
Основные электрические характеристики кремниевых транзисторов n-p-n большой мощности
Тип
|
Iк max, А
|
Uкэ max, В
|
Pк max, Вт
|
h21э
|
fгр, МГц
|
КТ805АМ | 5 | 160 | 30 | 15 | 20 |
КТ805БМ | 5 | 135 | 30 | 15 | 20 |
КТ805ВМ | 5 | 135 | 30 | 15 | 20 |
КТ815А | 1.5 | 25 | 10 | 40 | 3 |
КТ815Б | 1.5 | 40 | 10 | 40 | 3 |
KT815B | 1.5 | 60 | 10 | 40 | 3 |
КТ815Г | 1.5 | 80 | 10 | 40 | 3 |
KT817A | 3 | 25 | 25 | 25 | 3 |
КТ817Б | 3 | 45 | 25 | 25 | 3 |
KT817B | 3 | 60 | 25 | 25 | 3 |
КТ817Г | 3 | 80 | 25 | 25 | 3 |
КТ819А | 10 | 25 | 60 | 15 | 3 |
КТ819Б | 10 | 40 | 60 | 20 | 3 |
KT819B | 10 | 60 | 60 | 15 | 3 |
КТ819Г | 10 | 80 | 60 | 12 | 3 |
.