Американские ученые совместно с корейскими смогли создать транзистор на основе молибдена, в разы превосходящий по характеристикам кремниевый. Сам по себе дисульфид молибдена – далеко не идеальный полупроводник и сильно уступает тому же кремнию или графену, но когда речь заходит о пленках толщиной в атом, соединение серы и молибдена приобретает совершенно новые свойства.
Транзистор на его основе практически не проводит ток в закрытом состоянии, а отношение токов закрытого и открытого транзистора приближается к миллиону. Кроме того, полупроводниковые приборы из молибдена способны переключаться при гораздо более низких напряжениях на затворе, чем все существующие сегодня полупроводниковые приборы. Таким образом тот же ЖК дисплей, собранный на новых транзисторах будет в разы экономичнее своего современного собрата, поскольку перестанет страдать от таких проблем как токи утечки и открывания ключей.
Обошли ученые и основную проблему – техническую сложность и высокую стоимость изготовления одноатомных пленок. По их словам изготовление молибденового транзистора будет выглядеть следующим образом: с выращенного кристалла дисульфида молибдена снимается тонкая пленка МоS2 и помешается на подложку из оксида алюминия и кремния. В полученный «бутерброд» вживляются электроды, которые будут служить входом, выходом и затвором.
По заверениям разработчиков, такая конструкция практически не имеет тока утечки и по характеристикам ничем не отличается от полупроводника на одноатомарной молибденовой пленке. Предложенная технология изготовления молибденового транзистора вполне осуществима уже сегодня, так что, очень возможно, микроэлектроника перейдет с кремния на молибден в самом недалеком будущем.